التصنيفات
أخبار الموبايلات

كشفت شركة سامسونج عن ذاكرة HBM3E الجديدة لتعزيز أداء تقنية الذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي، ما الجديد فيها؟

سامسونج تكشف عن ذاكرة HBM3E 12H الجديدة لتحسين تقنية الذكاء الإصطناعي

قدمت الشركة الكورية العملاقة مؤخراً ذاكرة HBM3E 12H الجديدة التي تحتوي على TC NCF وتم تطويرها بشكل رئيسي لتعزيز آداء التعلم الآلي وتقنية الذكاء الإصطناعي المتقدمة.

تم إصدار HBM3E Shinebolt من قبل شركة سامسونج في شهر أكتوبر كنموذج محسن من الجيل الثالث من ذاكرة HBM، وتتميز بسرعة 9.8 جيجابت في الثانية لكل طرف، مما يؤدي إلى إجمالي 1.2 تيرابايت في الثانية للحزمة.

وبالنسبة للذاكرة الجديدة HBM3E 12H، فإنها تتضمن 12 وحدة مضغوطة بشكل رأسي تشير إليها برمز 12H، وهذا التصميم يسعى لاستيعاب المزيد من الذاكرة في كل وحدة. وتمكنت سامسونج من تحقيق سعة 36 جيجابايت في 12H، مما يمثل ترقية بنسبة 50% مقارنة بـ8H، دون تغيير في النطاق الترددي 1.2 تيرابايت في الثانية.

تشير TC NCF إلى المادة بين الطبقات المضغوطة وهدفها تحسين أداء التبريد للذاكرة بالإضافة إلى تحسين الإنتاجية.

هدفت سامسونج أيضًا إلى تطوير أجهزة بتصميم أنحف يصل إلى 7µm، مما جعل وحدات 12H المضغوطة تأتي بنفس ارتفاع 8H.

من المتوقع أن تقدم السعة الاضافية في ذاكرة HBM3E 12H دعمًا أفضل لتسريع أداء تقنية الذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي في الأجهزة بنسبة 34%.

المصدر

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *