سامسونج تكشف عن ذاكرة HBM3E 12H DRAM المحسنة للذكاء الاصطناعي
أعلنت شركة سامسونج عن طرحها لخط شرائح جديد مخصص للذكاء الاصطناعي، وهو خط يتضمن ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية HBM3E 12H DRAM بتقنية TC NCF المتقدمة.
تتميز الذاكرة الجديدة HBM3E بسعة أعلى مما جعلها مثالية لتدريب واستدلال الذكاء الاصطناعي بشكل فعال. وتستخدم سامسونج في تصميمها ستة وحدات HBM3E 8H بسعة 24 جيجابايت من Micron، وبإجمالي 144 جيجابايت، ولكن يمكن استخدام 141 جيجابايت فقط.
من المتوقع أن تساهم تقنية 12H الجديدة من سامسونج في تسريع تدريب الذكاء الاصطناعي بنسبة 34%، وستسمح للخدمات بالتعامل مع عدد متزايد من المستخدمين.
كشفت سامسونج أيضا عن HBM3E Shinebolt، وهو نسخة محسنة من الجيل الثالث من HBM، والتي تتميز بأداء عالي وعرض نطاق ترددي كبير.
ويتميز التصميم الجديد 12H بزيادة سعة الذاكرة بنسبة 50% مقارنة بتصميم 8H، ولكن يظل عرض النطاق الترددي عند 1.2 تيرابايت في الثانية.
تستخدم TC NCF في ذاكرة HBM3E الجديدة لتحسين التبريد وزيادة الإنتاجية، وهي تقنية تسمح لسامسونج بتصنيع أجهزة أنحف وأكثر كفاءة.
من المتوقع أن يستمر الطلب على شرائح الذكاء الاصطناعي مثل H200 نظرا لزيادة الطلب على تقنيات التعلم الآلي. وتعمل الشركات مثل سامسونج وMicron وSK Hynix على تقديم حلول منافسة لهذا القطاع الناشئ.
تستخدم شرائح الذاكرة هذه في تشغيل تطبيقات الذكاء الاصطناعي التي تتطلب كميات كبيرة من ذاكرة الوصول العشوائي. وقد اختارت Nvidia سامسونج كواحدة من مورديها لهذا النوع من الذاكرة نظرا للتقنيات المتطورة التي تقدمها